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感應(yīng)加熱電源的國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀
感應(yīng)加熱設(shè)備電源是感應(yīng)加熱的關(guān)鍵設(shè)備之一，感應(yīng)加熱設(shè)備電源的發(fā)展與電力電子學(xué)及電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展密切相關(guān)，70年代末和80年代初現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)的結(jié)合，為開(kāi)發(fā)新型功率半導(dǎo)體器件提供了條件，相繼出現(xiàn)了一大批全控型電力電子半導(dǎo)體器件，極大地推動(dòng)了電力電子學(xué)發(fā)展，為固態(tài)超音頻、高頻電源的研制提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
其中，影響力最大的是1983年美國(guó)GE公司發(fā)明的一種新的很有前途的功率期間-IGBT,它綜合了MOS管與雙極晶體管的有點(diǎn)，在其通態(tài)壓降低的同時(shí)開(kāi)關(guān)速度加快，自1988年解決了摯住問(wèn)題后（由寄生NPN晶體管引起），大功率告訴IGBT已成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達(dá)100KHZ，功率高達(dá)Mw級(jí)電源已可實(shí)現(xiàn)。
如1994年，日本采用IGBT研制出了120OWk，50KHz的電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱設(shè)備的電源，逆變器工作于零電壓開(kāi)關(guān)狀態(tài)，并實(shí)現(xiàn)了微機(jī)控制，西班牙在1993年已報(bào)道了30kw-600kw,50-100KHz電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱設(shè)備電源，歐美地區(qū)的其它一些國(guó)家如英國(guó)、法國(guó)、瑞士等國(guó)的系列化超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備電源目前最大容量也達(dá)數(shù)百千瓦。
國(guó)內(nèi)在90年代初，浙江大學(xué)開(kāi)始了對(duì)IGBT超音頻電源的研制，1996年5kow/50HkzIGBT電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱電源通過(guò)了產(chǎn)品鑒定，目前的研制水平為200KW、50KHZ與國(guó)外的水平仍有相當(dāng)大的距離。